Le laboratoire National d’Oak Ridge aux Etats-Unis, a développé une méthode qui permet de cristalliser, de manière fiable, du graphène de bonne qualité à grande échelle.
Le processus utilisé pour cristalliser le graphène repose un dépôt chimique en phase vapeur assuré par la décomposition d’un gaz de carbone (tel que le méthane) sur une feuille de cuivre sous une température élevée. Le processus exact n’était pas tout à fait maitrisé par les chercheurs. Mais une meilleure compréhension du mécanisme de croissance leur a permis de développer des films de graphène de meilleure qualité. En effet, l’équipe de recherche a découvert le rôle important joué par l’hydrogènedans la croissance des grains de graphène. Ce dernier, considéré auparavant comme un élément passif, s’est avéré crucial pour la croissance du graphène. Ainsi, il contribue, à la fois, à l'activation de molécules adsorbées, qui initient la croissance de graphène et au contrôle de la morphologie des grains formés.
Grâce à la maitrise de la qualité du graphène produit, on pourrait espérer une amélioration significative des fonctionnalités de tous les produits où on l’incorpore, comme les transistors et les semi-conducteurs…
Pour en savoir plus
www.ornl.gov
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